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刘老师：15363050875
简介：飞行时间二次离子质谱（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，TOF-SIMS）是通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。
应用：掺杂剂与杂质的深度剖析；薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族）； 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析； 硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N；工艺工具（离子植入）的高精度分析。
测试项目：质谱、Mapping、深度剖析（定性）、3D
1.粉末样品量需要50mg以上；
2.薄膜/块状样品尺寸要求小于10*10*5mm，标记清楚测试面；
3.样品需要真空保存，寄样时需保护好测试面，因为TOF测试1-2nm的信息，对表面测试非常灵敏。
如果是质谱和二维成像，是一个位置，因为没有损伤，采集完正离子的可以继续采集负离子；如果是深度分析，需要换位置，分别测试正离子和负离子。
不可以，TOF-SIMS是测试离子强度，定性测试
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