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刘老师：15363050875
简介：当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。
利用霍尔效应可以测量半导体材料的导电特性，从而获得载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数。
应用：主要应用于材料导电特性和掺杂行为表征
材料导电类型判断(P型和N型)
精确测量载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
变温Hall测试
杂质激活能测量
范围：
温度测量范围: 80~573K
电阻率范围:10e-5~10e7Ω.cm
载流子浓度范围:10e7~10e21cm-3
迁移率范围:1~10e7 cm2/(V.s)
样品形态：必须是薄膜（做在基底上面的薄膜也可以，基底不能有导电性），薄片，或者粉末压片（自己压制成合适尺寸，粉末压片测不好，不建议）（一般都是半导体材料）。如果是做在基底上面的薄膜，那么薄膜要稍微厚一点，薄膜的厚度需要自己确认好，包括纯薄膜的厚度以及薄片或者压片的厚度都要确认好，到时候测试时需要输入仪器进行计算的。
尺寸：10-20mm见方的圆片或者方片（最好是10mm方块的尺寸），导电层厚度在10-500nm之间最佳，整体厚度不超过2mm，样品需要均匀、平整的平面，不能有孔洞、褶皱等缺陷；
粉末：提供3ml体积样品。
样品电阻不要超过200MΩ；当样品电阻超过100Ω时，需要制备金属电极，金属电极共四个，位于正四边形的四个顶角处，由实验室制作。
数据有：霍尔迁移率，载流子类型，载流子浓度，霍尔系数，电阻率
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